DRAM基本的存取操作如图所示,结合RAS及OAS的有效,分割为行地址和列地址赋予地址。进行读操作时,如果在这里DE有效,则DQn引脚被驱动,读出数据。另一方面,进行写操作时,在CAS有效之前WE有效,然后DQn上设置数据,如果OAS有效,则在其下降沿写入数据。 图 DRAM的存取操作 这是所谓的初期写的一般方法,除此之外,还具有称为延迟写的方法,此方法在RAS及OAS有效的状态下设置(由于瓦已经无效,因而DQn不能被驱动)数据,在WE的下降沿写人数据。这些方法都是在进行读-修改-写操作时方便的方法,所谓的读-修改-写操作也就是从存储器读出数据后、更改部分比特位、然后写回到同一