PN结及其形成过程 在杂质半导体中, 正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消,因此保持电中性。 1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动 在P型半导体和N型半导体结合后,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差,N型区内的电子很多而空穴很少,P型区内的空穴而电子很少,这样电子和空穴很多都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散,因此,有些电子要从N型区向P型区扩散, 也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。 2、电子和空穴的复合形成了空间电荷区 电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合(中和),结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。 P区失去空穴留下带负电的离子,