FRAM是半导体技术的新发展。顾名思义,FRAM不像RAM那样的易失性。相反,它不需要用电源来保持数据。在FRAM里是利用铁电材料的特性来存储数据的,结构与EEPROM的结构相类似,而只是在控制栅和浮动栅之间具有铁电物质,FRAM单元的剖视图见1所示。 图1 以0.5μm技术制造的FRAM单元的剖视图(左边的两个浅色的矩形是在半导体 表面的控制引线;右边的水平矩形是实际的FRAM单元,在两个电极之间看到的 暗层是铁电材料。PRAM单元的宽度大约为2μm,由富士通公司提供) FRAM具有智能卡存储器所有理想的性能,它只需用5V来编程,编程时间大约为100ns,而最大编程次数大