基础电子中的Bi CMOS微电子技术简介
Bi-CMOS技术是一种将CMOS器件和双极型器件集成在同一芯片上的技术。由上述两节可知,双极型器件速度高,驱动能力强,模拟精度高,但是功耗大,集成度低,无法在超大规模集成电路中实现;而CMOS器件功耗低,集成度高,抗干扰能力强,但是速度低、驱动能力差。在当代的技术应用中,既要求高集成度又要求高速度,这是上述两种器件中任何一种单独的器件所不能达到的。Bi-CMOS技术综合了双极型器件高跨导和强负载驱动能力及CMOS器件高集成度和低功耗的优点,使这两者取长补短,发挥各自优点,是高速、高集成度、高性能超大规模集成电路又一可取的技术路线。目前,在某些专用集成电路和高速SRAM产品中已经使用了Bi-C
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