图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 P+-N型光电二极管采用在电阻率p=6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二极管的P+阳极被轻掺杂的P型扩散保护环包围,其作用是提高P+-N结的反向击穿电压。对于彩色传感器来说,应用时需要在两个结构完全相同的光电二极管上分别加上不同的反向偏压。以使得它们的空间电荷区宽度有所差异,如图1所示中的d1和d2。彩色传感器的具体工作机理相当复杂。我们假设硅对蓝色光的吸收深度小于d1,这样,当入射光功率相同时,两个探测器产生的光电流也将是完全一样的。而对于波长较长红光来说,其吸收