将SIMOX和BESOI的步骤结合起来就形成了智能切割。将注入剂量为1017/cm2的氢离子注入到热氧化的基片中,形成高斯分布的轮廓。基片表面到氢离子峰值浓度的距离取决于注入能量,通常在几百纳米到几微米之间;而在氢离子浓度最高的地方,晶格损伤也最严重,价键也最弱。 离子注入之后,将两个同样的基片(其中一片可以没有热氧化层)接触并在室温下键合。然后在600°C和1100 °C下退火,基片就会在氢离子浓度最高处裂开。然后通过CMP减小表面的粗糙度。 由于氢的质量较小,所以离子注入并不会对晶格造成很大的损伤,线位错的密度一般小于102/cm-2,掩埋氧化层即热氧化层,厚度为几百纳米到几微米不