SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘层上覆硅)技术的出现虽然已有30多年,但是取得突破性进展是在20世纪80年代后期。最初人们仅认为SOl技术有可能替代在特殊场合应用的SOS(Silicon~On-Sapphire)技术。然而,由于发现薄膜SOl MOSFET具有极好的按比例缩小性质,使得SOl技术在深亚微米VLSI中的应用具有极大的吸引力,潜力很大。最后,SOl技术和器件的研发取得了惊人的进展,己从首次激光再结晶实验发展到CMOS / SIMOX SRAM及以硅基SOl微电子主流技术的高速度、低功耗微处理器。目前,SOl技术已走向商业化实用阶段,并在继续深化它的应用领域,特