我们有下列几点需要考虑: 1脊宽和脊高的确定; 2N+和P+区深度的确定; 3N+区偏离内脊侧壁距离的确定。 我们现在要做的就是如何优化各参数以使得器件性能最优。具体就是考虑载流子注入到光场区的密度和光场的重叠状况。下面我们来举个例子。 图1所示为典型的SOl结构调制器截面。顶层硅为6.5um,这个厚度是可以任意选择的,一般情况下是要保证和光纤耦合的时候损耗不要太大。这个截面的尺寸设置是根据单模条件来实现的[见式(4-85)]。 图1 SOl结构调制器截面 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99