图中表示了存取操作中的一个例子,该示例中的操作是管道模式(FT/Pipe引脚为高电平)下的操作,它按照读/写/读这样的顺序进行存取。 图 同步双端口SRAM的存取操作示例 直流模式下的读/写操作,因为数据的输出是被一个个时钟前置的,所以在赋予地址的下一个时钟沿上确定数据。 首先,在最初的时钟上CE有效,器件处于被选择的状态。因为R/W为高电平,所以操作是读模式,而又因为ADS有效,因而将A0~A16作为所访问的地址进行提取。在这个例子中,是在下一个时钟中改变地址的,这只是希望表示管道模式操作才这样描述的。 因为是在赋予地址的下一个时钟沿开始输出数据,所以,外部电路在所