显示/光电技术中的光电系统的构成
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显示光电技术中的LED显示屏控制技术
LED 显示屏需要基于专用集成电路(ASIC )的控制系统进行控制,美信(Maxin)、安捷伦(Agilent) 和东芝等公司是世界上LED显示屏控制ASIC的主要制造商。除了LED显示技术本身的发展
27 2020-11-06 -
显示光电技术中的光电探测器结构示意图
四元化合物In1-X,GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配
28 2020-11-17 -
显示光电技术中的光电探测器阵列CCD转移特性
为了减小氧化层残余电荷引起界面陷阱中心使载流子消失以提高转移效率,可以在氧化层和衬底之间增加一层隐埋层使转移沟道从表面移向体内。由图1(b)可以看出,势能极小值脱离了界面进入了体内,避免了表面态的影响
19 2020-11-17 -
显示光电技术中的欧司朗光电推出SPL BF系列激光棒
欧司朗光电(Osram-os)半导体推出新一代迷你激光棒,波长范围介于 910 nm 至 1020 nm之间,可提供卓越非凡的亮度。这些激光棒之间的输出和光束参数匹配精密,超强光束以特定角度从窄小的激
10 2020-11-13 -
显示光电技术中的光电探测器阵列CCD摄像器件
目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明[82],此后关于CCD的研究蓬勃发展,CCD最小像素尺寸由1972年的40um减小到了1995年的5 gm,像素单元也从最
10 2020-11-17 -
显示光电技术中的雪崩光电探测器结构和能带
在波长为1.55 gm的长波长区域,由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题,人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP,通过调整化合物组分含量使它能在1.2~1.6 gm波长范围内工作
18 2020-11-17 -
显示光电技术中的LED显示屏参数
LED显示屏参数与术语: 1、LED亮度 发光二极管的亮度一般用发光强度(Luminous Intensity)表示,单位是坎德拉cd;1000ucd(微坎德拉)=1 mcd(毫坎德拉), 1
25 2020-11-08 -
显示光电技术中的自制LED显示屏
1 门头LED条屏 门头LED条屏幕,动感强颜色鲜艳,能吸引注意力,主要用来发布最新广告信息,广泛应用于银行,影楼,美容美发,手机店等店铺门头。随着LED屏作为一种新媒体被大家接受,的价格也被大
25 2020-10-28 -
显示光电技术中的数码显示器分类
按发光物质不同,数码显示器可分为下列几类: (1)半导体显示器,亦称发光二极管显示器; (2)荧光数字显示器,如荧光数码管、场致发光数字板等; (3)液体数字显示器,如液晶显示器、电泳显示
16 2020-11-17 -
显示光电技术中的LCD显示电路设计
HY12864为128×64点阵LCD,采用两片HD61202作为列驱动器,同时使用一片HD61203作为行驱动器的液晶模块,芯片的结构图如图所示。HY12864具有简单而功能较强的指令集,与微控制器
44 2020-11-17
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