穿通效应(Reach-Through Effect)。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时,穿通效应的影响就会很重要。当两个阱中电路为模拟电路时,阱的电位可能互不相同。当两个阱的电位之差足够大时,阱的耗尽区向外扩展并可能相互接触,如图1所示。从而在两个阱之间形成穿通电流,造成模拟电路直流工作点偏移。如果衬底是轻掺杂的外延层,那么就更容易形成较宽的耗尽区,也就是说,在版图设计的时候,同类型阱之间的距离要比普通的CMOS工艺所规定的值稍微大一些。 图1 相同类型阱之间的穿通效应 综上所述,在这种结构的OEIC中,外延层的厚度和杂质浓度需要根据具体的需要进行优化。应针对速度、响应度