N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3,造成pn结空间电荷区,也就是光生载流子漂移区的宽度太小,大部分的光生载流子产生在这个区域之外。这部分载流子的运动形式主要是缓慢的扩散运动,这就大大限制了光电二极管的工作速度。为了避免耗尽区外光生载流子扩散运动对器件性能的影响,并且不增加工艺的复杂度,一种如图1所示的基于标准CMOS工艺的双光电二极管(DPD)结构被提了出来[53]。 图1 CMOS双光电二极管结构 现代的CMOS工艺和BiCMOS工艺都会采用自调整技术形成N阱或P阱。在阱中注入N+或P+区形成CMOS的源和漏。这样就会形成两个纵向排列背对背的pn结—