同步DRAM的读操作示例如图所示,所有操作都是以时钟的上升沿为基准进行的,与前面的状态迁移图结合相信会更容易明白。 图 SDRAM的读操作 (1)行地址与存储块编号的指定 首先,因为同步DRAM处于IDLE状态,所以在此发出利用了RAS、CAS、WE及“信号的ACTV指令。同时分别赋予A0~A12、BA0/BA1行地址和存储块编号,据此激活所指定的存储块,移向ROW ACTIVE状态。此后如果等待tRCD时间,则可以接受下一指令。这个tRCD时间记录于数据手册中,HM5225165B的该时间为20ns,因此,如果以133MHz进行操作则需要3个时钟;如果以100MHz进行