在实际可控硅电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。 可控硅有一重要个特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下,使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大,超过了可控硅的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。 在可控硅处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关