写入时,通过给栅极加上高电压vPP,如图1所示,向浮置栅注入电荷。注人后的电荷由于不具备穿透硅氧化膜能壁的能量·因而只能维持现状。 图1 UV-EPROM的写入 当浮置栅接收到紫外线的照射,浮置栅中的电子接收了紫外线光量子的能量,则电子变成具有穿透硅氧化膜能壁能量的热电子。如图2所示,热电子穿透硅氧化膜,流向基板和栅极,恢复为擦除状态。UV-EPROM的擦除操作,只能通过接收紫外线的照射来进行,而不能进行电子擦除。也就是说,UV-EPROM只能够进行由“1”向“0”改变比特数,而在反方向上.除擦除芯片全部内容的方法以外,再没有其他的方法。 图2 UV-EPROM