DRAM的快速访问模式

观察对DRAM单元的访问方式即可明白,在多路复用地址以及读操作之前必须进行预充电,以及利用读出放大器进行放大等,所以不太擅长随机访问。但是,在实际中的存储器访问中,持续访问连续的区域是很常见的,而且在安装了高速缓冲存储器的情况下,由于高速缓冲存储器与主存储器(一般以DRAM构成)之间的传输是以块为单位进行的传输。所以,完全的随机访间是罕见的,大多是连续的区域或某狭窄的区域被集中访问。因此,着重设计了在DRAM端可连续访问已确定区域的机制。 以前访问模式具有页模式、静态列模式和半字节(nibble)模式这三种,之后页模式被随后出现的快速翻页模式(Fast PageMode)所取代,进而又被