量子效率可以分为内量子效率ηi和外量子效率ηo ,它是半导体光电探测器最重要的指标。内量子效率定义为吸收一个入射光子能够产生的电子-空穴对个数,即 由于ηi与材料的吸收系数α,以及吸收层的厚度W相关,因而可表示为[10] 式中,a(λ)是对应波长λ的吸收系数。由上式可见材料的吸收系数越大,或者吸收层越厚,光电探测器的量子效率就越高。在实际的光电探测器申,光不可能直接由材料表面达到吸收区,而是要经过一定的厚度的重掺杂接触区,在这个区域内会造成一部分光子损耗,同时在光电探测器表面的反射作用也会损失部分入射光。基于这些因素,定义外量子效率叼。为 式中,d为前端接触层厚度