引言 为微处理器系统中的能量存储/传输处理选择体去耦电容是一件复杂的事情,由于强调产品的物理尺寸,处理器制造商一般只规定满足器件能量转换要求所需要的电容量,而不考虑为适合的电容排列留置的可用空间。嵌入式单板计算机中所用的处理器还要求更高的电容充放电性能,从而要求一个低的时间常数。 随着电容制造向更小型化封装应用的继续推进,一种高电容量、低ESR及低电压应用的理想方案是3-D多阳极涂层(conformal coated)片式电容。 高电容量和低ESR技术 有多种技术已可实现单位体积电容量的优化。例如,涂层片式钽电容技术,该技术去除了常规模压固体钽电容的引线框结构,同时