基础电子中的MOCVD的应用范围

MOCVD设备将II或III族金属有机化合物与IV或V族元素的氢化物相混合后通入反应腔,混合气体流经加热的衬底表面时,在衬底表面发生热分解反应,并外延生长成化合物单晶薄膜。与其他外延生长技术相比,MO

频率响应(Frequency Response):频率所对应的灵敏度数值就是频率响应,绘制成图象就是频率响应曲线,人类听觉所能达到的范围大约在20Hz-20000Hz,目前成熟的耳机工艺都已达到了这种

WinCC在MOCVD系统中的应用pdf,WinCC在MOCVD系统中的应用

导读: MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此,MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术,MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景

干簧管除了作为干簧继电器的主要元件外,干簧管本身和永久磁铁配合也可以单独地应用在许多方面。例如,利用永久磁铁靠近干簧管时可使干簧管动作的原埋,可以制成各种控制开关及产生控制信号;可以做成磁控开关;在需

大部分的半导体产品–例如,处理器和内存–都是硅设备,而现在,其它很多产品,包括发光二极管(LED)和微波元器件,则是由其它半导体材料制成,比如氮化镓和磷化铟。在使用这些特殊半导体材料制造产品时的一个关

红外线光电开关对射式和反射式两种,反射式光电开关是利用物体对光电开关发射出的红外线反射回去,由光电开关接收,从而判断是否有物体存在。如有物体存在,光电开关接收到红外线,其触点动作,否则其触点复位。对射

关键特性 · 小尺寸:在0.3in?上集成了四个通道 · 低功耗:每通道325mW (典型值) · 高速:3VP-P时, 300Mbps · -2.2V至+5.2V工作电压范围 · 有源端接(第3级驱

1、选择 LDO的基本要素 包括输入电压范围、预期输出电压、负载电流范围以及其封装的功耗能力。此外,地脚电流 Ignd 或静态电流 Iq、电源波纹抑制比 PSRR、噪声及封装等也是 LDO 选择时

前言 连接性技术是以我们常用的手机/智能手机、平板电脑为中心演化而来。最近,不仅在手机/智能手机中,就连数码相机、家用电器、游戏机、医疗保健设备和汽车只要是机械设备中都广泛可见。村田提出“将世界用