在电子技术日新月异、新型多功能电能表层出不穷的今天,电能表中存储器的选择也是多种多样,存储器的好坏直接关系到电能表的正常使用和测量精度。目前应用最多的方案仍是SRAM加后备电池、EEPROM、NVRAM这三种。但这三种方案均存在着缺陷。其中SRAM加后备电池的方法增加了硬件设计的复杂性,同时由于加了电池又降低了系统的可靠性;而EEPROM的可擦写次数较少(约10万次),且写操作时间较长(约10 ms);而NVRAM的价格问题又限制了它的普及应用。因此,工程人员在设计电能表的存储模块时,往往要花很大的精力来完善方案,才能使电表数据准确无误的写入存储器中。鉴于以上情况,越来越多的设计者将目光投向了