MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力(VDS恒定)的参数,也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。 (忽略沟道长度调制效应,λ=0,在以下分析中,如未出现λ参数,
晶体管的电流放大能力等于集电极电流比上基极电流。这个比值有很多名字,包括电流增益和beta。不同的作者又对它也使用不同的符号,包括β和hFE。一个典型的集成NPN晶体管的beta值是大约等于150。某
晶体管的检测方法,可以用它来检测晶体管等极性、工作频率、瞬态电压
晶体管开关时间的测量方法,具体测量过程。以及实验结果。
详细讲解MOS管的用途以及识别各种MOS管。对MOS管更深刻的解析
1947年12月,美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管。于是乎,大名鼎鼎的、影响人类文明进程的晶体管就此诞生。1956年,这三人因发明晶体管同时荣获诺贝尔物
由Intel于2011年5月6日研制成功的世界上个3D三维晶体管“Tri-Gate”现在已经逐步进入大家的视线了,本文将介绍3D晶体管的优势。 3D晶体管 Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三
通过图解分析法和微变等效电路分析法,对晶体管恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析,阐明了它们在不同工作状态下的变化情况,以指导具有晶体管恒流源负载的晶体管工作状态的确定.
现在市场上销售的晶体管,有一种9000系列晶体管,价钱便宜性能也不错,它们的性能怎样? 9000系列塑封晶体管,价钱便宜,性能也不错,所以现在很多电子产品和业余电子制作中都应用这类晶体管。 900
线性调节器式直流稳压电源的主要缺点是串联晶体管的功耗过大。所有的负载电流都必须通过串联晶体管,其功耗等于(Udc-Uo)Io。在多数情况下,串联NPN型晶体管的最小电压差(Udc=Uo)=2.5V。