Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管,用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品,其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。 新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括: 1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍 2. 相比于商业可用硅LDMOS,提高了工作频率 3. 在免授权的5.8GHz ISM(工业,科学与医疗)频段和5.3GHz与5.47GHz U-NII(不需许可的国家信息基础构架)频段内的工