元器件应用中的Microsemi 推出具业界最低导通电阻的MOSFET系列
用户评论
推荐下载
-
元器件应用中的Stackpole推出新型电阻器RNCS系列可提供超低TCR
Stackpole近日宣布推出新的电阻器RNCS系列,该系列钝化镍镉精密电阻现可提供低到15ppm的TCR。该电阻器专门用于需要高温和环境稳定和低噪声的应用中,经测试可承受湿度和水分腐蚀。 该器件
9 2020-11-09 -
元器件应用中的Vishay推出增强型VTAZ系列Bulk Metal Z箔轴向电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款改进型VTAZ系列超高精度Bulk Metal Z箔轴向引线电阻,其额定功率已扩展至1.0W,电阻值为300kΩ。 典型
22 2020-11-10 -
元器件应用中的Vishay推出改进型S系列高精度Bulk Metal箔电阻
日前,Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal 箔 (BMF) 电阻,这些电阻在 -55°C~+125°C(+25°C 参考点)时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR
15 2020-11-22 -
元器件应用中的Vishay推出100Ω至221kΩ0402片式电阻系列
Vishay公司宣布推出采用0402微型封装的高稳定性、高精度片式电阻——MCS0402,以扩展其Beyschlag薄膜扁平片式电阻系列。新推出的器件阻值范围在100Ω~221kΩ之间,并通过了CEC
7 2020-11-26 -
元器件应用中的TE推出新一代SESD系列器件
导读:日前,TE Connectivity旗下的一个电路保护业务部门宣布推出新一代SESD系列器件,该SESD系列器件可提升现有的小型低电容SESD器件产品线,以实现20kV及更高的浪涌保护能力。
10 2020-10-28 -
元器件应用中的Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件
Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件,该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。 新型 Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已经过测试,
7 2020-11-26 -
元器件应用中的TE推出ChipSESD保护器件
2011年2月—泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件,以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表
7 2020-11-06 -
电源技术中的Zetex高压MOSFET面向预偏置电源导通电阻达50Ω
Zetex Semiconductors近日推出一款可满足预偏置电源电路需求的新型高压MOSFET器件ZXMN0545G4。该产品是一种450V增强型N沟道器件,可用于简单的线性稳压器,在启动阶段为脉
19 2020-11-29 -
元器件应用中的国半功率MOSFET简介及其应用
引言 目前现售的高压功率MOSFET是一种N-沟道、增强型、双扩散、金属氧化硅场效应晶体管。它们和NPN双极型晶体管具有相同的功能,但前者采用电压控制的器件,而后者则是采用电流控制的双极型器件
14 2020-11-09 -
元器件应用中的提高功率CMOS器件功效可用MOSFET方案
三十多年来,本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存,是一件多
14 2020-11-09
暂无评论