飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop(场截止)结构和抗雪崩的Trench gate(沟道栅)技术,可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡,从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比,FGA20N120FTD可减小25% 的导通损耗、8%的开关损耗,并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低,系统可靠性得以增强,系统总成本减小。这些