摘要: 功率转换器的功率密度越来越高,发热问题越来越严重,这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战。因而热问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要,本文提出一种新的PSPICE模型,可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。本文提出的模型中所需要的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍MOSFET的一种新的PSPICE 等效热模型,这个模型提供发热和电气参数之间的动态关系。这里提出的模型建立了与许可的热环境的关系,例如,栅极驱动电路、负载、以及散热器的分析与优化设计。可以利用这个模型来改善散热器的设计。由於决定功率损耗的参数参差不齐,与生产制造有