RFID技术中的Maxim高集成度SiGe无源混频器适于3G应用

美信集成产品公司(Maxim Integrated Products)推出高性能完全集成815MHz至1000MHz SiGe无源混频器——MAX2031。该单片IC可提供36dBm IIP3、27d

Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成、2000MHz至3900MHz下变频混频器MAX19996A。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计,集优异的线性度、噪声性能和高度的器

摘要:本应用笔记比较了集成RF混频器与无源混频器方案的整体性能,论述了两种方案的主要特征,并指出集成方案相对于无源方案的主要优点。 过去,RF研发人员在高性能接收器设计中使用无源下变频混频器取得了

　过去，RF研发人员在高性能接收器设计中使用无源下变频混频器取得了较好的整体线性指标和杂散指标。但在这些设计中使用分立的无源混频器也存在一些缺点。

安捷伦科技公司(Agilent Technologies)宣布推出一款高线性度、低本地频率振荡器(LO) E-pHEMT微波单片集成电路(MMIC)有源混频器——IAM-93516,满足了基站设备(B

在通信电路中,混频就是变频,即频率的变换。变频是将载频为fc的已调波变换为载频为fc的已调波。这种变换应该保留原载频已调波的调制方式不变,携带的信息也不变,而且不失真。混频器是通信电路中极为重要的组成

美信(Maxim)新推出线性度低LO泄漏的基站Rx/Tx混频器MAX2043,这款高线性度、无源上变频/下变频混频器可为UMTS/WCDMA、DCS、PCS和WiMAX基站应用提供大约+31dBm的I

凌特公司(LineatTechnology)推出的LT5527型高线性度有源下变频RF混频器能大幅降低3G蜂窝基站的成本并简化其设计。

摘要:本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工

为通信和军事市场提供基于MMIC的完整解决方案的全球级提供商Hittite微波公司日前宣布发布四款用于测试和测量系统、军事无线电、商业传感器和收发器基础设施的双平衡GaAs MESFET混频器, 包括