元器件应用中的InSb磁敏电阻器的B一R特性曲线

磁敏电阻器的B一R特性,由无磁场时的电阻值Ro和磁感应强度为B时的RB来表示。Ro随元件的形状不同而异,为数十欧至数千欧。的随磁感应强度的变化而变化。图给出了InSb磁敏电阻器的B一R特性曲线。 图:InSh磁敏电阻器的B一R特性曲线