元器件应用中的整流二极管的特性参数介绍

桥堆是四只或两只二极管按照一定规律连接并接出引出线,进行封装后形成的一种电子器件。 桥堆的图形符号及检测电路如图所示,其中“+”、“-”指的是整流后输出电压的极性,而桥堆中二极管的极性则正好与此相

半导体二极管的种类很多,通常可按用途、结构及制作工艺、PN结组成材料及封装形式进行分类,分类情况如图一所示。 图一 半导体二极管的分类

常用的红外发光二极管(如SE303·PH303),其外形和发光二极管LED相似,发出红外光(近红外线约0.93μm )。管压降约1.4V ,工作电流一般小于20mA。为了适应不同的工作电压,回路中常串

双向触发二极管由硅NPN三层结构组成,它是一个具有对称性的半导体二极管器件,可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管,如图一所示。 双向触发二极管的伏安特性曲线如图二所示,其正向和

测定的二极管的开关特性表示如下图所示。这个二极管是100V、1A的一般用二极管。当输入信号消失时,反向流过很大的电流,其持续时间很长(与输入脉冲幅度有关)。这样的特性使其不能使用在高速开关电路中。

2AcM型磁敏二极管 2ACM型磁敏二极管适用于磁场强度测量、转速和位移检测及无触点开关和直流无刷电机等。主要特性参数见表。

2DU型硅光敏二极管主要用于可见光和红外光探测器及光电转换的自动控制仪器、触发器、光电藕合、编码器、特性识别电路、过程控制电路、激光接收电路等。主要特性参数见表。

表:光敏二极管型光电藕合器主要特性参数 注:表中IR为发光二极管的反向漏电流;VBM为光敏三极管最菏反向工作电压;VBR(VCEO)为光敏三极管集电极与发射极击穿电压。

2DCM型磁敏二极管的外形同 2ACM型磁敏二极管,其主要特性参数见表。

本文主要汇总了一些方法来判断整流二极管正负极。