元器件应用中的MQ51改进型氢敏元件电参数

测量电路如图所示,调节稳压电源的输出电压US,从零开始缓慢地增加,一直到10V,记录电压表和电流表相应的读数UR,I,并将测量数据记入表(a)(b) 来源:ks99

霍尔元件的结构及工作原理 霍尔元件是根据霍尔效应进行磁电转换的磁敏元件,其典型的工作原理图如图所示。霍尔元件是一个N型半导体薄片,若在其相对两侧通以控制电流I,而在薄片垂直方向加以磁场氏 则在半导体

WIGJ1O51型聚焦电位器 WICJ1051型聚焦电位器的外形及电路如图所示,其主要参数见表40。

RI42型玻璃釉电阻器采用高可靠性的金属玻璃釉作电阻体,电极为银铝,具有体积小、重量轻、高频特性好、性能稳定、价格便宜等优点,可广泛应用于交流、直流及脉冲电路中。电阻器为片状结构,其主要参数见表1。

RT106型碳膜电阻器体积小、重量轻、性能优良,可广泛应用于彩色电视机高频头及各种仪表电路中,其外形尺寸及主要参数见表1。 表1 RT106型碳膜电阻器主要参数 生产厂:上海无线电一厂

RI12型玻璃釉电阻器采用稳定性好、可靠性高的钉系金属玻璃釉做电阻膜,用易焊的银钮合金做电极。这类电阻器具有性能优良、可靠性好、高频特性好、耐湿、耐温、耐过负荷等特点。除此之外,该类电阻器体积小,可直

RI40型系列电阻器具有高阻值、体积小、耐湿、耐温、耐过负荷等特点,可靠性很高,可广泛用于彩色电视机,也可用于电子计算机、仪器仪表等各种电子设备中。电阻器的外形如图1所示,其主要参数见表1。 表1

表:GL型光敏电阻器主要特性参数见表

磁敏三极管由锗材料或硅材料制成。图是磁敏三极管的结构图。它是在高阻半导体材料i上制成N+-i-N+结构,在发射区的一侧用喷砂等方法破坏一层晶格,形成载流子高复合区r。元件采用平板结构,发射区和集电区设

2CWM、JCWM型温敏二极管的主要特性参数见表,其外形尺寸见图。 2CWM、JCWM型温敏二极管主要特性参数 2WM型温敏二极管外形