电源技术中的Vishay新推超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK

VISHAY推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供最佳的导通电阻性能,凭借这三款器件,公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中,OR-ing功能

VISHAY宣布推出新系列P通道MOSFET,这些器件建立了VISHAY每单位面积最低导通电阻的新记录。 基于新一代TrenchFET芯片技术的新型VISHAY Siliconix器件

意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的

瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻,用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出三款面向 OR-ing 应用的功率 MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供最佳的导通电阻性能,凭借这三款器件,公司将有助于提

TrenchFET IV产品用在同步降压转换器中,能够提高整体的系统效率和功率密度。这些产品的更高性能还能够实现更小的设计尺寸,并且

全球领先的通信、工业、医疗和汽车领域的高性能模拟集成电路设计者和制造商奥地利微电子公司(SWX:AMS),今天推出了只需极低静态电流的LDO AS1360,进一步扩展了公司的低压差稳压器(LDO)产品

功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点,已经成为开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)整流组件的最佳选择,专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低功率电源监视器 LTC2934 和 LTC2935,这些器件仅吸取 500nA 静态电流。在便携式应用中,电池寿命