发光二极管是采用磷化镣(GaP)或磷砷化嫁(GaAsP)等半导体材料制成的,其内部结构为一PN结,具有单向导电性。当在发光二极管的PN结上加正电压时,PN结势垒降低,载流子的扩散运动大于漂移运动,致使P区的空穴-注人到N区,N区的电子注入到P区。相互注人的电子和空穴相遇后就会产生复合,复合时发出的能量大部以光的形式出现。由于使用的半导体材料不同,发光二极管会发出不同颜色的光。