元器件应用中的超高亮白色和蓝色发光二极管的特点
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元器件应用中的发光二极管发光光谱特性及温度特性基础理论
对于直接带隙半导体来说,峰值波长杨同其禁带宽度相对应;而对于掺ZnO或N的GaN等直接带隙材料来说,峰值波长由等电子陷阱发光中心的位置决定。半导体中,参与电子-空穴复合的能带有一定宽度,而不是能级之间
16 2020-11-17 -
元器件应用中的塑封变容二极管
塑封变容二极管适合在通信设备、数宇电路中作调谐、频率自动微调用,它们的外形如图一所示,主要特性参数见表一. 图一 塑封变容二极外形 表一 塑封变容二极主要特性参数
14 2020-11-26 -
元器件应用中的肖特基二极管简介
基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间
28 2020-11-22 -
元器件应用中的隧穿二极管
隧穿二极管是1958年由日本的L.Esaki提出的,也叫f江崎二极管”。隧穿二极管是PN结二极管的一种特殊形式,其半导体材料的载流子掺杂浓度为每立方厘米10(19)或1020个原子,这是普通的PN结二
19 2020-11-12 -
元器件应用中的肖特基二极管SBD
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒(barrier)整流作用,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管
22 2020-11-18 -
元器件应用中的硅变容二极管
硅变容二极管适合在各类无线电、通信设备中作调谐、频率跟踪、稳频及解码锁相用。硅变容二极管的外形如图一,其主要特性参数见表一. 图一 硅变容二极管外形 表一 硅变容二极管主要特性参数
11 2020-11-26 -
元器件应用中的稳压二极管
稳压二极管稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于
21 2020-12-12 -
元器件应用中的安华高表面封装发光二极管支持超薄手机
安华高科技(Avago Technologies)最近新推业内最小的采用行业标准(0603)封装尺寸的最薄的表面封装(SMT)发光二极管(LED)。这些采用高亮度芯片的低功率LED的尺寸只有铅笔头大小
7 2020-12-03 -
元器件应用中的快恢复二极管与超快恢复二极管特点及检测
快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD (Superfast
16 2020-11-06 -
元器件应用中的带反并联二极管IGBT中的二极管设计
引言 反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力最终将构成一种三角关系。
7 2020-12-13
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