元器件应用中的Zetex新型低电压双极晶体管有助提升功率密度

1)确定发射极和集电极对于有定位销的光敏晶体管,靠近定位销的引脚为E极,另一脚则为C极。管壳上涂有色点者,靠近色点的引脚为E极。有的管子的引脚是一长、一短,较长者为E,短引脚者为C。对于达林顿光敏晶体

rfpower中功率射频晶体管,列出了一些常见的射频中功率晶体管的参数。

我国20世纪80年代以前的静止变频技术由于受到电力电子器件技术的影响,一直处于停滞不前的状态,各个行业感应加热用中频电源基本上使用中频变频电机供电。随着20世纪90年代初电力电子器件的发展,目前国内中

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear and Space Ra

工业电源必需满足一些特殊的要求,如低功耗(以减轻机箱冷却方面的负担)、高功率密度(以减小空间要求)、高可靠性和高耐用性,以及其它在普通电源中不常见的特性,如易于并联、遥控和某些过载保护功能等。同时,它

随着电子集成化的发展,器件、设备小型化的趋势越来越明显,对电源而言也是如此。高功率密度、小型化、轻薄化、片式化一直是电源技术发展的方向。那么,电源的小型化主要由哪些因素决定呢?

饱和开关的问题点:OFF延时时间 如图1所示,使场效应晶体管开关动作时,加给晶体管的基极电流IB:是IB=IC/hFE,决定的值大的电流。这是由于晶体管的集电极一发射极饱和电压VCE(set)减小

一般情况下低频管都不能代替高频管使用,因为一般高频管所工作的电路都大于低频管最高的频率3MHz以上。 如收音机电路,即使是中波段525-1605kHz,因要求晶体管的实际频率都应大于3-5倍的工作频

这份资料阐述了风功率密度和风能区域等级划分，为风电项目选址提供数据支持，适用于宏观选址和微观选址阶段。

集成是固态电子产品的基础，将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展，功能密度不断提高，在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案。