据中科院物理所网站报道,最近,中国科学院物理研究所韩秀峰课题组研制了一种新型的磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件,这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统的采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元和双线制脉冲电流产生和合成脉冲磁场驱动比特层磁矩翻转的做法,而是采用100纳米尺度下的磁矩闭合型纳米环状磁性隧道结作为存储单元、并采取正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的工作原理,可以克服常规MRAM所面临的相对功耗高、存储密度低等瓶颈问题。目前利用500微安至650微安脉冲极化电流就可以直接驱动存储单元比特层的磁矩翻转,进行写操作,并有望进一步优化和降低写操作电流;利用10到20微安的脉冲电流可进行读操作