飞思卡尔宣布推出业内第一款封装在超模压塑料封装内、性能堪与气腔封装媲美的2 GHz大功率RF晶体管。这些先进的设备基于飞思卡尔的高压第七代(HV7)RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 技术。这种先进的技术旨在帮助无线基础设施的设计人员极大地降低无线系统中最昂贵的元件-基站放大器的成本,同时达到严格的性能要求。 飞思卡尔的旗舰型HV7设备是在TO-270 WBL-4封装内提供的MRF7S19120N。该设备能够提供最低120 W P1dB和36 W的平均功率,一般性能有望达到18 dB的增益,在PAR=6.1dB时能够达到32%的效率和-37.5 dBc的线性(用CCDF上的PA