安森美宣布将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比,这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低,性能更高。 安森美半导体的HighQ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用,高性能等于延长电池寿命。 安森美半导体制造服务总经理Rich Carruth说:“目前,为了向市场推出具有价格竞争力的电子消费品,设计人员在为板选择无源器件时只好牺牲性能。以砷化镓-金工艺制造的无源器件提供较好的性能,但是过高的总体制造成本限制了其用于