意法半导体(ST)公司日前推出了第一批采用该公司独有的MDmesh高压功率MOSFET第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源(SMPS)、功率因数校正器(PFC)和电源适配器。与第一代Mdmesh产品相比,新一代产品的效率明显提升,在新的电源转换器设计中,能够大幅度降低成本,提高系统可靠性。 ST的多重漏极网格(MDmesh)工艺采用一个创新的漏极结构,漏极是由隔离物组成的阵列结构,纵向的p-型漏极条作为漏极体的延伸,沿很薄的水平n-型源极条排列。除极低的通态电阻外,这种漏极结构还创造了优异的dV/dt特性和抗雪崩特性。作为第二代MDmesh技术,MDmesh II进一步改进了p