意法半导体日前推出多款基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管。STripFET技术采用优化布局和最新工艺,提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性,并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率,主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括STS12NH3LL、STSJ50NH3LL、STD55NH2LL、STD95NH02L、STL8NH3LL和STL50NH3LL。 其中,STS12NH3LL是一款30V器件,额定电流12A。STSJ50NH3LL也是一款30V器件,额定电流50A。这两款产品在10V时典型通态电阻均是0.008Ω,在4.5V时,通态