Samsung电子公司推出业界首个60nm 8Gb NAND闪存储器K9W8G08U1M,用作存储媒体如用在移动设备的低容量移动硬盘. NAND闪存技术,平均每12个月增加容量一倍.在1999年为256Mb,2000年则增加到512Mb,2001年为1Gb,2002年为2Gb,2003年为4Gb,现在2004年则为8Gb. 开发这样高容量和精细的电路设计的关键技术是3D单元晶体管结构和高介质栅绝缘技术.此外,通过广泛使用的KrF光刻印刷术,每位的成本降低了50%. Samsung在60nm技术中通过采用多级单元(MLC)技术,进一步增强了这种技术.新的8Gb MLC NAND闪存扩充了S