IR新型MOSFET器件为PoE应用节省80%的占位空间
用户评论
推荐下载
-
表面贴器件PCB占位的设计经验和指南
本文帮助您快速地设计出诸如铜层占位、焊料掩模孔、焊料粘结剂模版孔这样一些所需要的PCB孔,尽管不适用于生产,但这些指南将帮助您的原型设计顺利进入测试实验。
15 2020-09-21 -
元器件应用中的MagnaChip公司发布500V高压MOSFET
MagnaChip半导体有限公司,宣布推出七个高压MOSFET产品,宣告正式全面进入功率半导体市场。 此次推出的500V MOSFET为N-沟道类型,支持电子变为零电流,专为各种工业品而设计,包括
4 2020-11-13 -
元器件应用中的MagnaChip推出8种600V MOSFET
近日,MagnaChip半导体最新推出8种600V电力金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 此次推出的电力用金氧半场效晶体管实用于LCD TV, LCD显示屏及电脑等产品。MagnaCh
10 2020-11-13 -
元器件应用中的场效应管mosfet参数符号意义
Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共
19 2020-11-26 -
满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术,在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平。
13 2020-08-20 -
RFID技术中的IR D类音频功放用MOSFET
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665 DirectFET:trade_mark: MOSFET。此款设计旨在改进音频器
25 2020-12-13 -
集成电路中的Diodes100V MOSFET H桥采用5mm x4.5mm封装有效节省占位面积
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ,把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 (5mm x 4.5mm)
11 2020-10-17 -
元器件应用中的MOSFET与预驱动器的匹配技巧
汽车应用中电气负载的数量及种类众多,在驱动及控制这些负载方面,没有“万能”的方案。有些负载是大功率,有些是低功率;可能是电阻型、电感型或电容型负载。它们可能需要精确的控制,或是仅需要简单的脉宽调制(P
23 2020-11-09 -
元器件应用中的IR系列IR3C02A集成电路实用检测数据
IR3C02A为8脚双列直插式塑料封装,在先锋CLD-1580K型影碟机上用于控制、聚焦、循迹伺服电路[IC605],其正常工作电压典型检测数据如表所列,用MF14型三用表测得(DC挡)。 表 IR
7 2020-11-22 -
电源技术中的IR用于DC DC降压转换的MOSFET
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑
17 2020-12-13
暂无评论