ARM公司(伦敦证交所:ARM;纳斯达克:ARMHY)今天发布了其Artisan 物理IP系列中的ARM VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存储器接口,支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。 TSMC设计服务市场代理总监Kuo Wu表示:“我们一贯致力于同我们的IP合作伙伴共同努力,将高质量的IP以最短的时间整合到我们客户的领先的设计中。在我们对IP认证的严格要求下,ARM Velocity DDR1/2存储器接口在我们的90纳米工艺取得了卓越的首次投片成功。”