通信与网络中的瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗

Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界最高水平性能,可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布,RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能,可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等

基于IEEE 802.11a标准的5GHz WLAN系统能在低移动性无线条件下提供比以前的系统更快的数据传输率、更好的频谱效率、改进的多径性能和更低的干扰。 为了在5GHz WLAN系统中支持高速率

摘要:干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术。本文对目前干法腐蚀在硅微波大功

SiGe 半导体现已推出 2GHz 无线 LAN 功率放大器 (PA) 模块。型号为 SE2576L 的全新 IEEE802.11bgn 器件,是业界尺寸最小且效率最高的功率放大器,发射功率为26dB

电子设计应用2003年第5期 TFT LCD面板需要三个电源:VDD、VON和VOFF。VDD通常为13V,用来给视频信号通路提供电源。VON通常为25V,用来提供TFT单元门驱动偏置电压的导通。VO

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0 引言 随着宽带无线通信技术的不断发展和市场的不断扩大,802.11a标准的5 GHz无线射频频段以其数据传输速率快、信号质量好、干扰小等优点得到了越来越广泛的推广;随着CMOS工艺的进步.使其

大多数网络接入终将不受制约,这是人们普遍持有的一种观点。个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、笔记本电脑和基于IP的设施都将能通过无线LAN技术连接网络。 基于IEEE 802.11的无线LAN技术组

英国Cambridge Silicon Radio公司(CSR)执行副总裁、公司创始人Glenn Collinson在美国圣诺塞举行的“Wireless Connectivity America 20