模拟技术中的新日本无线配备旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC
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模拟技术中的基于3GHz CMOS低噪声放大器优化设计
摘 要: 基于0.18 μm CMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明,该放
19 2020-11-08 -
模拟技术中的接收机两级低噪声放大器设计
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7 2020-12-12 -
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设计了一种基于70 nm GaAs MHEMT(变形高电子迁移率晶体管)单管芯的宽带低噪声放大器(LNA),频率覆盖50 MHz到3 GHz。采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降,以
6 2021-01-15 -
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17 2019-02-25 -
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30 2019-04-10 -
高性能宽带低噪声放大器设计
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8 2020-10-28 -
东南大学讲义低噪声放大器
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26 2019-01-11 -
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17 2023-03-18 -
CDMA基站中低噪声放大器设计
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7 2020-08-19 -
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18 2020-08-29
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