三星最近宣布开发出了业界首款256Mb的Pseudo SRAM,三星将其称作UtRAM,主要用于高性能移动产品(比如3G手机等)。 据介绍,这款产品的工作频率133MHz,而以往的Pseudo SRAM产品的频率只有80MHz。Pseudo SRAM内存是一种低功耗技术,以DRAM为数据储存架构,采用SRAM的I/O与控制接口。目前Pseudo SRAM的主流容量为64Mb。 这款芯片采用三星的90nm制造工艺,样品生产将在9月底开始,年底量产。这款产品将采用单芯片封装或MCP形式。