应用材料公司推出Centura Carina Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术,它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓,是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。应用材料公司的Carina技术具有独一无二的表现,它能达到毫不妥协的关键刻蚀参数要求:平坦垂直,侧边轮廓不含任何硅材料凹陷,同时没有任何副产品残留物。 这套系统高性能的关键之处在于其拥有知识产权的高温阴极。高温工艺可以提供平坦垂直的轮廓,不会产生传统温度工艺下带来困扰的高K介质材料残留和硅材料凹陷。此外,高温防止了被