引 言 单向双端口SRAM是一种专用的存储器,它具有独立的写地址总线和读地址总线,不仅可以实现单端口的读写,还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作,提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模式,并描述了相应的基于字的检测算法。 存储器模型 图1表示了3×3的单向双端口SRAM模块的结构示意图,输入为读地址总线、写地址总线和输入数据总线,输出为输出数据总线。每一个存储单元都有四个端口,分别是数据写入(BW),数据读出(BR),写地址端口(WA)和读地址端口(RA)。在这种结构中,同一列单元的数据写入端和读出端连到总线上,输出采用了线与的方式。对于字长大