IR2110的使用及设计指南

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IR2110 采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS 制造工艺，DIP14 脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V 下静

IR2110驱动电路设计

IR2110中文资料，介绍了IR2110的半桥驱动等应用电路以及参数等选取，非常好的资料哦

本资料主要是说明逆变电源中IR2110工作原理与其运用。

IR2110 的内部结构和特点.介绍了IR2110 的内部结构和特点,高压侧悬浮驱动的原理和自举元件的设计。

介绍了芯片的主要功能及技术参数，并就芯片典型应用电路进行了设计和分析。

1 引言 驱动IGBT电压型功率器件有多种具有保护及隔离功能的集成驱动模块。这些模块具有多种保护功能、隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定可靠等优点,但其相对价格较高,且只能驱动单个功率管。而IR

针对IGBT的半桥或者全桥的驱动,利用具有双通道集成驱动的IR2110来驱动IGBT。对其自举工作原理进行了分析,同时增加了栅极电平箝位电路,克服了IR2110不能产生负偏压的缺点,并在2 kW、40