铁电存储器原理及应用 空军雷达学院科研部 孙树印 背景铁电存储技术早在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品,目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年,FRAM又有新的发展,采用了0.35 m工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单元的FRAM,最大密度可达256K位。FRAM原理FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由