熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,线佩信(清华大学微电子学研究所,北京 100084)摘要:在SiGe HBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGe HBT小电流下较大漏电问题,为SiGe HBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。 关键词:湿法腐蚀;SiGe;异质结双极晶体管;超高真空低压化学汽相淀积中图分类号:TN32 文献标识码:A文章编号:1671-4776(2003)10-0015-021引言随着无线移动微波通信的迅速发展,迫切需要低成本、高性能和高集成度的