TPIC6B595DW的技术参数

产品型号:MBT3906DW1T1类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:MBT3946DW1T1类型:双晶体管集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:NSR15DW1T1反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV @1

产品型号:LM2574DW-ADJR2输出电压(V):1.23~37类型:降压型输入电压最小值(V):4.750开关电流最大值(A):0.500开关频率(kHz):52封装/温度(°C):16SOIC

产品型号:MBT3904DW1T1类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:MC74HC595ADTR2G封装/温度(°C):16TSSOP/-55~125描述:8位移位寄存器(3态输出)价格/1片(套):¥1.99

产品型号:MC74HC595ADR2G封装/温度(°C):16SOIC/-55~125描述:8位移位寄存器(3态输出)价格/1片(套):¥2.35

产品型号:BZX84B6V8LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.660齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.940@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15

产品型号:BZX84B5V6LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.490齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.710@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40

产品型号:BZX84B6V2LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.080齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.320@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):10